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12位ADC OTP

Part No.	IRC	VDD	ILRC	ROM	RAM	I/O	TIMER	STACK	ADC	PWM	E2	Package
HS26P10	16MHz	2.2~5.0V	32K	2K*16	128	6/12/14 /16/18	28bit 116bit	8	(5+1)*12bit	3*8bit	-	SOP8/SOP14 /SOP16/SOP18 /SOP20/DIP8 /DIP14/DIP16 /DIP18/DIP20 /TSSOP20
产品简介： HS26P10是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。 CPU特性： ◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 2K16位片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 3个8位定时器： TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。 TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 四种振荡模式内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K 外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz 外置低速晶体振荡器32.768KHz ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 128*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 6种可用中断 4个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 2个外部中断：INT0，INT1 ◆ ADC 5个外部ADC输入 1个内部电池检测内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V）了解更多
HS26P10E	16MHz	2.2~5.0V	32K	2K*16	128	6/14/16	28bit 116bit	8	(5+1)*12bit	3*8bit	256*8	SOP8/SOP16 /SOP20
产品简介： HS26P10E是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。 CPU特性： ◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 2K16位片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 3个8位定时器： TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。 TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 四种振荡模式内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K 外置高速晶体振荡器4MHz~16MHz 外置低速晶体振荡器32.768KHz ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 128*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 6种可用中断 4个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 2个外部中断：INT0，INT1 ◆ ADC 5个外部ADC输入 1个内部电池检测内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V）了解更多
HS23P3022	16MHz	2.2~5.0V	32K	2K	128	6	28bit 116bit	8	(2+1)*12bit	3*8bit	256*8	SOP8
产品简介： HS23P3022是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K16-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。 CPU特性： ◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 2K16位片内ROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 3个8位定时器： TC0：PWM0/ Buzzer输出。 TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 TC2：PWM2/ Buzzer输出 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 两种振荡模式内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 128*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 8级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 5种可用中断 4个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC ◆ 1个外部中断：INT1 ◆ ADC 2个外部ADC输入 1个内部电池检测内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V）了解更多
HS23P2721	16MHz	2.2~5.0V	32K	2K*16	96	6/8/12	4*8bit	5	(5+1)*12bit	4*8bit	-	SOP8/MSOP10/ESSOP10/SOP14
产品简介： HS23P2721是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个12位的ADC，一个2K16-bit的EPROM。 CPU特性： ◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 2K16位片内EPROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 4个8位定时器： TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer输出。 TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer输出。 TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer输出 TC3：外部事件计数器/PWM3（PWM占空比可配置为1/256）。 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 两种振荡模式内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 5级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 7种可用中断 5个内部中断：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ◆ 2个外部中断：INT0，INT1 ◆ ADC 5个外部ADC输入 1个内部电池检测内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） ◆ 内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率，且频率可通过寄存器软件调节) 了解更多
HS23P2710	16MHz	2.2~5.0V	32K	1K*16	96	4/6	4*8bit	5	(3+1)*12bit	4*8bit	-	SOT23-6/SOP8
产品简介： HS23P2710是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个12位的ADC，一个1K16-bit的EPROM，一个256Byte的EEPROM。 CPU特性： ◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 1K16位片内EPROM ◆ 256Byte的EEPROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 4个8位定时器： TC0：PWM0/ Buzzer输出。 TC1：PWM1/ Buzzer输出。 TC2：PWM2/ Buzzer输出 TC3：PWM3（PWM占空比可配置为1/256）。 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 两种振荡模式内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 5级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 5种可用中断：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ◆ ADC 3个外部ADC输入 1个内部电池检测内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） ◆ 内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率，且频率可通过寄存器软件调节) 了解更多
HS23P2710E	16MHz	2.2~5.0V	32K	1K*16	96	6	4*8bit	5	(3+1)*12bit	4*8bit	256*8	SOP8
产品简介： HS23P2710E是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个12位的ADC，一个1K16-bit的EPROM，一个256Byte的EEPROM。 CPU特性： ◆ 除了跳转指令2个指令周期外，其他指令都是一个指令周期 ◆ 1K16位片内EPROM ◆ 256Byte的EEPROM ◆ 可直接、间接寻址 ◆ 4个8位定时器： TC0：PWM0/ Buzzer输出。 TC1：PWM1/ Buzzer输出。 TC2：PWM2/ Buzzer输出 TC3：PWM3（PWM占空比可配置为1/256）。 ◆ 内置上电复位，掉电复位 ◆ 内置上电复位时间PWRT和振荡器起振时间OSCT ◆ 内置可预分频WDT ◆ 两种振荡模式内置高速振荡器16MHz 内置低速振荡器32K ◆ 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ◆ 96*8 bit SRAM ◆ 3组标准双向I/O端口 ◆ 5级用于子程序嵌套的堆栈 ◆ 5种可用中断：TC0、TC1、TC2、TC3、ADC ADC 3个外部ADC输入 1个内部电池检测内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V） ◆ 内置可校准16MHz振荡器(最大可配置为24MHz频率，且频率可通过寄存器软件调节) 了解更多

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