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通用I/O FLASH

HS23F2251

HS23F2251是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM,包含3个12位PWM及3个8位PWM,同时包含了可配置的端口比较器模块。


产品概述

HS23F2251是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机,它内建了2K*16-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、128Byte 的SRAM,包含3个12位PWM及3个8位PWM,同时包含了可配置的端口比较器模块。


产品详情

◆ 42条RISC指令,除了跳转指令是两个周期,所有的指令都是单周期

◆ 14位宽指令,8位宽数据路径,5级深度硬件堆栈

◆ 支持GOTO指令全ROM跳转、支持全ROM子程序调用

◆ 2K×14的程序存储器

◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区

◆ 128 × 8位通用寄存器,直接、间接寻址方式

◆ 拥有1个可编程预分频器的8位实时时钟/计数器(TMR0)

◆ 拥有1个可编程预分频器的12位实时时钟/计数器(TP0)

◆ 拥有1个可编程预分频器的16位实时时钟/计数器(TC0)

◆ 3路由TC0控制的8位PWM及BUZ

◆ 1组带死区的12位PWM,可配置为3路12位PWM

◆ 可配置的端口比较器资源

◆ 内部上电复位电路(POR)、内置欠压复位(BOR)

◆ 上电复位定时器(PWRT)和振荡器启动定时器(OST)

◆ 看门狗定时器(WDT)使用内部晶振可靠性高,由软件使能或禁止

◆ 2组I/O口,可配置上拉、下拉和开漏等状态

◆ 4种工作模式可任意切换:正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式

◆ 唤醒睡眠:INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒

◆ 唤醒绿色:INT/INT1管脚中断、IOB的输入状态改变、TC0溢出唤醒、COMP唤醒、TP0溢出唤醒

◆ 省电休眠模式,可编程代码保护

◆ 可选的振荡器选项:内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器

◆ 7种可用中断:TMR0溢出中断、TC0溢出中断、IOB端口变化中断、INT/INT1中断、TP0溢出中断、COMP比较中断

◆ 宽工作电压范围:2.2V至5.5V